LJA30-2015DK位置控制開關技術(shù)參數(shù)

LJA30-2015DK耐高溫位置控制接近開關

1、渦流式接近開關

這種開關有時也叫電感式接近開關。它是利用導電物體在接近這個能產(chǎn)生電磁場接近開關時，使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個渦流反作用到接近開關，使開關內(nèi)部電路參數(shù)發(fā)生變化，由此識別出有無導電物體移近，進而控制開關的通或斷。這種接近開關所能檢測的物體必須是導電體。

2、電容式接近開關

這種開關的測量通常是構(gòu)成電容器的一個板，而另一個板是開關的外殼。這個外殼在測量過程中通常是接地或與設備的機殼相連接。當有物體移向接近開關時，不論它是否為導體，由于它的接近，總要使電容的介電常數(shù)發(fā)生變化，從而使電容量發(fā)生變化，使得和測量頭相連的電路狀態(tài)也隨之發(fā)生變化，由此便可控制開關的接通或斷開。這種接近開關檢測的對象，不限于導體，可以絕緣的液體或粉狀物等。

LJA30-2015DK耐高溫位置控制接近開關

技術(shù)參數(shù)

1、本體材質(zhì)：A.B.S

2、填充物：Epoxy

3、功率：10W

4、開關電壓：100 VDC

5、開關電流：0.5

6、崩潰電壓：

7、負載電流：1.0A

8、接蝕電阻：100 mΩ

9、絕緣電阻：108Ω

10、釋放時間：0.1 ms Max

11、感應時間：0.4 ms Max

3、霍爾接近開關

霍爾元件是一種磁敏元件。利用霍爾元件做成的開關，叫做霍爾開關。當磁性物件移近霍爾開關時，開關檢測面上的霍爾元件因產(chǎn)生霍爾效應而使開關內(nèi)部電路狀態(tài)發(fā)生變化，由此識別附近有磁性物體存在，進而控制開關的通或斷。這種接近開關的檢測對象必須是磁性物體。

4、光電式接近開關